[发明专利]一种氧化镓晶片CMP后的清洗方法有效
| 申请号： | 202010997736.6 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112474550B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈政委;赵德刚;范钦明 | 申请（专利权）人： | 北京铭镓半导体有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/12;B08B13/00;H01L21/02;C11D7/08;C11D7/04;C11D7/60 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 张瑞雪 |
| 地址： | 101300 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种氧化镓晶片CMP后的清洗方法。其方法为：S1、用包含硫酸、双氧水和去离子水的清洗液Ⅰ清洗CMP后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S2、用包含氨水、双氧水和去离子水的清洗液Ⅱ清洗S1清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S3、用包含氢氟酸和去离子水的清洗液Ⅲ清洗S2清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S4、用包含盐酸、双氧水和去离子水的清洗液Ⅳ清洗S3清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S5、在超声功率为150‑300w的环境下超声清洗S4清洗后的氧化镓晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 晶片 cmp 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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