[发明专利]一种快速准确测定氧化镓单晶晶轴取向的方法有效

专利信息
申请号: 202010997737.0 申请日: 2020-09-21
公开(公告)号: CN112394073B 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 陈政委;吴忠亮;范钦明 申请(专利权)人: 北京铭镓半导体有限公司
主分类号: G01N23/20008 分类号: G01N23/20008;G01N23/20025;G01N23/20016;G01N1/28
代理公司: 北京维正专利代理有限公司 11508 代理人: 张瑞雪
地址: 101300 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请涉及氧化镓单晶加工的技术领域,具体公开了一种快速准确测定氧化镓单晶晶轴取向的方法,方法包括以下步骤:S1、初步判断(010)晶面方向;S2、切割初始(010)晶面得S2.1氧化镓晶片;S3、X射线衍射仪测定初始(010)晶面偏角;S4、精确切割(010)晶面,得S4.1氧化镓晶片;S5、解理法确定S2.1氧化镓晶片的(100)和(001)晶面;S6、根据S2.1氧化镓晶片的(100)和(001)晶面的迹线,确定[010]晶轴方向;S7、利用X射线定向仪确定S2.1氧化镓晶片的[001]和[100]晶轴的方向。本申请的方法具有快速准确地测定未知任何晶体方向的氧化镓晶轴取向的优点。
搜索关键词: 一种 快速 准确 测定 氧化 镓单晶 晶轴 取向 方法
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