[发明专利]在栅极内部使用选择性金属氧化的基于应变的性能增强在审
| 申请号： | 202010998119.8 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN113097290A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | R·拉马斯瓦米;张旭佑;B·法拉哈扎德;H-Y·王;T·常;T·特里维迪;J·D·金;N·尼迪;W·M·哈菲兹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及在栅极内部使用选择性金属氧化的基于应变的性能增强。本文公开的实施例包括半导体器件及形成这种器件的方法。在实施例中，一种半导体器件，包括：源极；漏极；以及在源极和漏极之间的半导体沟道。在实施例中，半导体沟道具有在半导体沟道的整个厚度上的非均匀应变。在实施例中，半导体器件还包括围绕半导体沟道的栅极堆叠体。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 内部 使用 选择性 金属 氧化 基于 应变 性能 增强 | ||
【主权项】：
暂无信息
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