[发明专利]三种低频低强度短时磁刺激模式对突触可塑性LTP调控效应的分析方法有效
| 申请号： | 202010998426.6 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112175938B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 郑羽;李成双;东磊;程建豪;田春晓;夏培 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | C12N13/00 | 分类号： | C12N13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提出了三种低频低强度短时磁刺激模式对突触可塑性LTP调控效应的分析方法，实验结果表明，三种模式磁刺激均会对突触可塑性LTP产生一定程度的抑制，其中，连续正弦磁场的抑制效果最为显著，而另外两种的抑制效果相对较弱，且随着时间的增大，三种模式的抑制效果更为明显。本发明通过Agilent 83712信号源产生正弦信号，通过Master‑8可编程刺激器产生脉冲和节律信号，经功率放大器PB717X放大后，产生频率为15Hz，强度为2mT的低频低强度磁场信号，对离体海马脑片实现了10s，20s，40s，60s的短时刺激，并采用多电极阵列记录到LTP信号，对于探究磁刺激对学习和认知的影响机制提供了依据。 | ||
| 搜索关键词： | 低频 强度 短时磁 刺激 模式 突触 可塑性 ltp 调控 效应 分析 方法 | ||
【主权项】：
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