[发明专利]LDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010999057.2 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN113410303A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 葛薇薇 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329 | 代理人： | 唐灵;赵杰香 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS器件，包括衬底、形成于所述衬底上的外延层、形成于所述外延层中的LDMOS器件区，所述LDMOS器件区包括源极区、漏极区以及栅极区，所述源极区和漏极区之间设有漂移区，所述漂移区中还形成有第一导电类型顶部区，该第一导电类型顶部区上还设有类栅结构的控制阀。本发明将LDMOS器件通过在P_top区上方设置场板结构，该场板结构可在LDMOS器件的栅极处于第一电位时，在P_top区上部形成反型区即电子的低阻流通路径，可有效提升器件的电流能力，降低器件的比导通电阻；在LDMOS器件的栅极处于第二电位时，起到辅助耗尽漂移区的作用，进而有效地调节漂移区电场，增加器件的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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