[发明专利]封装端子腔及其产生方法在审
申请号: | 202010999449.9 | 申请日: | 2020-09-22 |
公开(公告)号: | CN112582367A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 伯纳多·加列戈斯 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L23/544;H01L21/48 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请案的实施例涉及封装端子腔及其产生方法。在一些实例中,一种封装(100)包括:模制件(102);及导电端子(108),其与所述模制件接触且具有暴露于所述模制件的第一表面(112)的第一表面(108B)。所述导电端子包含腔(110),所述腔(110)具有沿着所述导电端子的所述第一表面的至少一半延伸的第一部分(110B)及沿着所述导电端子的所述第一表面的不到一半延伸的第二部分(110C)。 | ||
搜索关键词: | 封装 端子 及其 产生 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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