[发明专利]一种硅碳负极极片及其制备方法和锂离子电池有效

专利信息
申请号: 202011000830.6 申请日: 2020-09-22
公开(公告)号: CN112103469B 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 尚德华;杨泽乾 申请(专利权)人: 傲普(上海)新能源有限公司
主分类号: H01M4/13 分类号: H01M4/13;H01M4/139;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525;H01M10/058;H01M10/42;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京壹川鸣知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11765 代理人: 徐军科
地址: 200050 上海市长*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明适用于锂离子电池技术领域,提供了一种硅碳负极极片及其制备方法和锂离子电池,该硅碳负极极片包括:集流体;第一碳负极层,设置在所述集流体上;主材料层,设置在所述集流体上;所述主材料层包括具有凹坑结构的硅碳负极区以及填充在所述凹坑结构中的碳负极区;以及第二碳负极层,设置在所述主材料层上。本发明采用弹性导电剂均匀分散,包裹在硅碳材料颗粒表面,如此在硅碳材料膨胀时起到缓冲作用。另外,本发明采用凹版印刷涂布技术,硅碳材料与含锂盐碳材料间隙分布,锂盐可为硅碳材料补锂并形成SEI膜,碳材料为硅碳材料提供体积膨胀的缓冲,可以同时解决硅碳材料首效低、膨胀破裂的问题。
搜索关键词: 一种 负极 及其 制备 方法 锂离子电池
【主权项】:
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