[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202011001154.4 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112582475A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 陈俊翰;李振铭;杨复凯;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构，包括：鳍片，从半导体基板突出；第一金属栅极堆叠及第二金属栅极堆叠，设置在鳍片上；以及介电部件，定义第一金属栅极堆叠及第二金属栅极堆叠各自的侧壁。此外，介电部件包括双层结构，其中第一层的侧壁由第二层定义，以及其中第一层在组成上不同于第二层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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