[发明专利]单芯片大功率LED芯片结构

摘要

本发明公开了一种单芯片大功率LED芯片结构，包括晶圆级衬底以及由生长于所述晶圆级衬底上的外延层加工形成的多个功能元胞，其中每一功能元胞上还设置有相配合的第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极被配制为叉指结构，所述第二电极用于输入电流，所述第一电极用于输出电流，所述第一电极的宽度沿电流传输方向增大，而所述第二电极的宽度沿电流传输方向减小。本发明提供的单芯片大功率LED芯片结构，芯片采用的插指在电流汇集处进行加强设计，以使插指每处扩展出来的电流密度均相等，进而可以平衡芯片工作电流分布，提高芯片性能以及可靠性。