[发明专利]一种减小晶圆翘曲的方法及晶圆键合方法有效
| 申请号： | 202011001472.0 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112216609B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 伍术;肖亮;王溢欢;尹朋岸;严孟;王欢;华子群 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/60;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种减小晶圆翘曲的方法及晶圆键合方法，本发明的方法对在不同方向上存在翘曲度差异的晶圆，确定所述晶圆在不同方向上的翘曲度，并根据不同方向上的所述翘曲值，沿不同方向或者在晶圆的不同区域采用不同的退火策略对所述晶圆进行退火。例如，对晶圆沿某一个方向进行退火，或者在不同方向上设定不同的退火温度进行退火。通过上述不同的退火策略，调整晶圆不同方向上的应力，补偿晶圆不同方向上的翘曲度，使晶圆形状趋于平面化，最终满足加工及器件需求。另外，上述方法可以通过APC实现，只需要对退火策略进行调整便可实现，无需增加额外的步骤或者制程时间，可以实现量产，并且有利于降低生产成品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 晶圆翘曲 方法 晶圆键合 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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