[发明专利]一种二氧化钒单晶薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202011003347.3 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112126895A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 洪宾;王子岳;张帆;张悦;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学合肥创新研究院 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58;C30B29/16;C30B23/00 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 张梦媚 |
| 地址： | 230013 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化钒单晶薄膜的制备方法，包括将钒靶材和衬底置于真空环境中；将所述衬底加热后，向所述真空环境中通入臭氧；对所述钒靶材进行起辉或轰击产生等离子体，再依次进行预溅射、溅射，所述预溅射和溅射过程中，所述衬底始终处于旋转状态；溅射结束后停止通入臭氧，通入保护气氛在绝氧条件下进行退火处理，制得二氧化钒单晶薄膜。该制备方法极大的降低了二氧化钒单晶薄膜的生长温度，可在低温环境下实现高质量二氧化钒单晶薄膜的可控制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 钒单晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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