[发明专利]一种碲化镉/硫化镉/硒化镉薄膜沉积用坩埚舟及其制备方法在审
| 申请号： | 202011003782.6 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112176289A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 樊中军;陈瑛;周显华;殷新建 | 申请（专利权）人： | 中国建材国际工程集团有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/26 | 分类号： | C23C14/26;C04B35/532;C04B35/622;C04B35/64;C04B41/87 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 郎祺 |
| 地址： | 200030 上海市普*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碲化镉/硫化镉/硒化镉薄膜沉积用坩埚舟及其制备方法，所述坩埚舟采用高纯石墨加工而成，所述坩埚舟上开设有原料槽，所述原料槽的槽底设置有热电偶安装柱，所述热电偶安装柱的顶部开设有热电偶安装孔；所述坩埚舟的底部外壁设置有若干加热管安装槽，所述加热管安装槽内嵌入安装有电加热管；所述坩埚舟上可拆卸设置有坩埚盖，所述坩埚舟的两侧均设置有石墨导电棒安装孔，所述石墨导电棒安装孔用于安装所述坩埚盖上的石墨导电棒，所述石墨导电棒安装孔内穿设的石墨导电棒与所述坩埚舟之间必须留有间隙，不能直接接触。本发明的坩埚舟兼具半导体原料盛装的功能和原料加热升华的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化镉 硫化 硒化镉 薄膜 沉积 坩埚 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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