[发明专利]肖特基二极管及其制备方法有效
申请号: | 202011005049.8 | 申请日: | 2020-09-23 |
公开(公告)号: | CN111863973B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 赵自然;胡海帆;马旭明;肖雄 | 申请(专利权)人: | 同方威视技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 桑敏 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开涉及肖特基二极管及其制备方法。一种肖特基二极管包括:衬底层;位于衬底层上的第一结构和第二结构,其中第一结构与第二结构之间为隔离槽结构,第一结构包括第一主体区和从第一主体区延伸的悬臂梁,第二结构包括第二主体区,并且第二主体区包括位于衬底层上的重掺杂层以及位于重掺杂层上的轻掺杂层;以及肖特基接触结构,该肖特基接触结构包括:接触金属层,位于轻掺杂层上并与悬臂梁的端部相接;以及钝化层,位于轻掺杂层上并且包围接触金属层,其中重掺杂层中对应于接触金属层的位置具有一个或多个区域,这一个或多个区域与轻掺杂层相接并且与轻掺杂层的对应区域在接触界面形成耗尽区。 | ||
搜索关键词: | 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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