[发明专利]肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202011005059.1 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN111933743A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 赵自然;胡海帆;马旭明;肖雄 | 申请（专利权）人： | 同方威视技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及肖特基二极管及其制造方法。一种肖特基二极管包括：衬底层；位于衬底层上的第一结构和第二结构，其中第一结构与第二结构之间为隔离槽结构，第一结构包括第一主体区和从第一主体区延伸的悬臂梁，第二结构包括第二主体区；以及肖特基接触结构，该肖特基接触结构包括：台面结构，位于第二主体区上；以及钝化层，位于第二主体区上并且包围台面结构；以及接触金属层，位于台面结构上并与悬臂梁的端部相接，其中，接触金属层与台面结构相接触并且接触金属层的接触面尺寸大于台面结构的顶面尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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