[发明专利]一种提高沟槽MOSFET元胞密度的工艺方法及沟槽MOSFET结构有效
| 申请号： | 202011005205.0 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112103186B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;胡瞳腾 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/48;H01L27/088;H01L29/36;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589 | 代理人： | 叶垚平;李立 |
| 地址： | 518049 广东省深圳市福田区梅林*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高沟槽MOSFET元胞密度的工艺方法及沟槽MOSFET结构，包括以下步骤：步骤S4：淀积多晶硅，去除所述沟槽之外的多晶硅，去除所述第一氮化硅，在外延层中形成第一掺杂区和第三掺杂区，淀积第二氮化硅，刻蚀所述第二氮化硅，在所述多晶硅的侧壁形成侧墙，所述多晶硅的左、右侧壁形成的侧墙的宽度相等；步骤S5：在第一掺杂区中注入硼原子或磷原子形成第二掺杂区，所述第二掺杂区的掺杂浓度为第一掺杂区的掺杂浓度的20‑100倍，去除所述侧墙，去除凸出于第一氧化层表面之上的多晶硅，淀积介质层并去除设定区域的介质层和硅，形成源区接触孔。本发明提供的提高沟槽MOSFET元胞密度的工艺方法及沟槽MOSFET结构具有可实现更均匀的阈值电压和导通电阻等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 沟槽 mosfet 密度 工艺 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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