[发明专利]一种晶圆级键合结构及晶圆级键合方法有效
| 申请号： | 202011005359.X | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112117249B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 戴风伟;曹立强 | 申请（专利权）人： | 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 梁岩 |
| 地址： | 201207 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆级键合结构及晶圆级键合方法，晶圆级键合结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆具有第一键合面，所述第一键合面设置有第一导电结构；第二晶圆，所述第二晶圆具有第二键合面，所述第二键合面设置有第二导电结构，所述第二键合面上设置有填充层，所述填充层中具有位于部分所述第二导电结构上的凹槽；所述第一导电结构位于所述凹槽中且与所述第二导电结构连接；所述填充层与所述第一导电结构侧部的所述第一键合面接触。本发明避免了晶圆级键合结构后续工艺出现质量问题，如减薄、刻蚀等容易碎片的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级键合 结构 方法 | ||
【主权项】：
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