[发明专利]测算功率半导体器件栅极内阻的方法在审
| 申请号： | 202011005384.8 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112213562A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 张锴;李铁生 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种测算功率半导体器件栅极内阻的方法，步骤为：测试出器件的栅极电荷变化曲线a，此时栅极电流Ig流入器件；完成栅极电荷测试后，从栅极拉出一个栅极电流Ig，并测试出器件栅极电荷的变化曲线b，此时Ig从栅极流出器件；计算曲线a的Qgd段的Vgs与曲线b的Qgd段的Vgs的差值，该差值除2*Ig为栅极电阻的值。本发明的测算方法，避免了现有测试方法中由于选取不同的测试电压电流波形，得到不同的栅极电阻值的问题，测算结果更准确，更可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 测算 功率 半导体器件 栅极 内阻 方法 | ||
【主权项】：
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