[发明专利]一种提高芯片光刻工艺分辨率的方法有效
| 申请号： | 202011006573.7 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112286005B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 陈寿元;陈宇 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张晓鹏 |
| 地址： | 250012 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高芯片光刻工艺分辨率的方法。包括：使用激光器产生激光通过偏振片后，聚光到掩膜板上，通过掩膜板之后射到晶圆片上，包括两次曝光过程：第一次曝光：使用第一偏振片对与第一偏振片的偏振光方向相同的晶圆布线位置进行曝光；第二次曝光：使用第二偏振片对与第二偏振片的偏振光方向相同的晶圆布线位置进行曝光；第一偏振片和第二偏振片的偏振光方向分别与掩膜板的两个相互垂直方向的线条方向相同。利用激光的偏振方向和集成电路走向一致的偏振光来曝光感光胶，提高分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 芯片 光刻 工艺 分辨率 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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