[发明专利]一种REBCO导体载流效率的仿真方法有效
| 申请号： | 202011006695.6 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112395735B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 左佳欣;孙林煜;赖小强;张腾;魏海鸿 | 申请（专利权）人： | 核工业西南物理研究院 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F111/10;G06F113/16 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 高安娜 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于高温超导技术领域，具体涉及一种REBCO导体载流效率的仿真方法。建立导体二维仿真网格后设置仿真计算参数，再计算超导层截面上的磁场强度和临界电流分布，最后判断临界电流分布计算误差并计算导体的载流效率。通过引入带材在高场、各个角度的临界电流测试数据，利用临界电流迭代自适应算法，在充分考虑带材各向异性特征的条件下，计算导体高背景场下临界电流密度，使计算结果更接近真实情况，弥补现有计算方法不能计算高背景场下导体临界电流密度的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rebco 导体 效率 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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