[发明专利]声表面波器件的制造方法在审
申请号: | 202011006739.5 | 申请日: | 2020-09-23 |
公开(公告)号: | CN112511125A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 刘项力;沈旭铭 | 申请(专利权)人: | 广东广纳芯科技有限公司 |
主分类号: | H03H3/10 | 分类号: | H03H3/10;H03H9/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 宋俊寅;张鑫 |
地址: | 510700 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种声表面波器件的制造方法,其采用非连续性低温溅射工艺。非连续性低温溅射工艺包括如下步骤:通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤;在第1时间间隔内对所述沉积的第1薄膜层进行第1降温处理的第二步骤;对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤;在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2降温处理的第四步骤;以及在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复执行m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤,其中m为大于等于1的整数。 | ||
搜索关键词: | 表面波 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
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