[发明专利]适用于紫外LED的外延生长方法有效
申请号: | 202011007842.1 | 申请日: | 2020-09-23 |
公开(公告)号: | CN112103375B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 徐平;肖智;王杰;谢鹏杰 | 申请(专利权)人: | 湘能华磊光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/12 |
代理公司: | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人: | 张勇;刘伊旸 |
地址: | 423038 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: |
本申请公开了一种适用于紫外LED的外延生产方法,依次包括:处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层,降温冷却,其中生长多量子阱发光层依次包括所述生长InGaN阱层、生长SiN |
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搜索关键词: | 适用于 紫外 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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