[发明专利]用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202011008913.X | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112186041B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 钱佳成;刘秀勇;陈正嵘;陈广龙;吴长明 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法。其中T器件包括：衬底层，所述衬底层中形成栅结构，所述栅结构从所述衬底层的上表面向下延伸，在所述栅结构两侧的所述衬底层中，分别形成源极和漏极；所述栅结构包括：屏蔽栅结构，所述屏蔽栅结构包括屏蔽栅介电层，和，包围所述屏蔽栅介电层下部外周的场板氧化层；所述屏蔽栅结构的上部两侧分别形成控制栅结构，所述控制栅结构的外周形成第一热氧化层，所述第一热氧化层的外周形成第二热氧化层。用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法，可以解决相关技术中晶圆翘曲的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 晶圆翘曲 sgt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011008913.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
