[发明专利]一种冶金级硅中杂质硼去除的方法在审
| 申请号： | 202011011995.3 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112110450A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 余文轴;梅杰;魏鹏;陈浩;辛云涛;胡丽文;党杰;游志雄;张生富;扈玫珑;徐健;邱贵宝;吕学伟 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 刘桢 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种冶金级硅中杂质硼去除的方法，包括以下步骤：S1：用含硼的冶金级硅和金属铝混合得到混合物料；S2：将步骤S1得到的混合物料在惰性气体的氛围中放入熔炼炉中进行熔炼；S3：待步骤S2的混合物料完全熔化后得到熔体，进行保温，在惰性气体氛围中，向熔体中通入惰性气体‑氢气混合气体进行除杂反应；S4：停止通入混合气体，进行定向凝固，使初生硅富集到熔体的一端形成富集相，杂质硼富集到熔体另一端铝硅合金中；S5：富集完成后，用倾倒法或机械切割法将初生硅与铝硅合金分离，使硅中的杂质硼去除。本发明通过氢与硼反应，提高了定向凝固提纯冶金级硅过程中硼的去除率，使去除率达到98.5%，是一种低成本、高效、绿色环保的硅提纯新技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冶金 级硅中 杂质 去除 方法 | ||
【主权项】：
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