[发明专利]具有刻蚀微孔结构的4H-SiC紫外光电探测器及制备有效

专利信息
申请号: 202011012078.7 申请日: 2020-09-22
公开(公告)号: CN112117337B 公开(公告)日: 2022-10-14
发明(设计)人: 张峰;付钊;洪荣墩;蔡加法;陈厦平;林鼎渠;吴少雄;吴正云 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/105;H01L31/18;B81B1/00;B81C1/00
代理公司: 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人: 张素斌
地址: 361005 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 具有刻蚀微孔结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备,所述4H‑SiC紫外光电探测器包括P+层、吸收层和P层环形电极,还包括设于P层环形电极的内周的微孔,其从P+层刻蚀到达吸收层的上表面,微孔的壁面设有钝化层。当紫外光入射到探测器芯片上时,一部分被P+层吸收或者反射;另一部分被吸收层吸收并产生电子‑空穴对,在耗尽区内建电场的驱动下分离,并运动到探测器两端的电极,最后搭载外部负载电路形成电信号,通过检测电信号的大小,就可以判定紫外线强度的大小。微孔结构可减少P+层对紫外光的吸收,使得微孔处,光直接被吸收层吸收,提高探测器的响应度和量子效率,显著增加紫外光电探测器的实用性能。
搜索关键词: 具有 刻蚀 微孔 结构 sic 紫外 光电 探测器 制备
【主权项】:
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