[发明专利]三维存储器及其制备方法、电子设备在审
| 申请号： | 202011013523.1 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112151547A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 吴林春;张坤;张中;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了三维存储器及其制备方法、电子设备。其中制备方法包括提供初始三维存储器，初始三维存储器包括衬底、覆盖衬底的半导体结构。形成覆盖半导体结构的第一叠层结构。形成贯穿第一叠层结构的底部选择栅狭缝。形成覆盖第一叠层结构与底部选择栅狭缝的第二叠层结构。形成贯穿第二叠层结构的虚拟NAND串，以露出底部选择栅狭缝。形成贯穿叠层结构与第二半导体材料层的第一栅缝隙、形成贯穿虚拟NAND串的第二栅缝隙。去除位于第一栅缝隙内的第二阻挡层。去除牺牲层。通过先形成底部选择栅狭缝，从而降低虚拟NAND串的贯穿深度，进而减小第二栅缝隙的蚀刻深度，从而有效地保护了第一半导体材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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