[发明专利]三维存储器及其制备方法、电子设备有效
| 申请号： | 202011013524.6 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112151548B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 吴林春;张坤;韩玉辉;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/10 | 分类号： | H10B41/10;H10B41/35;H10B41/27;H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了三维存储器及其制备方法、电子设备。其中制备方法包括提供初始三维存储器，初始三维存储器包括衬底、覆盖衬底的半导体结构、及覆盖半导体结构的叠层结构。形成贯穿叠层结构与第二半导体材料层的第一栅缝隙、形成贯穿虚拟NAND串的第二栅缝隙。去除位于第一栅缝隙内的第二阻挡层。去除牺牲层形成空隙。后续在去除第一栅缝隙内的第二阻挡层时，第二栅缝隙内便只会露出衬底，而不会露出第一半导体材料层。最终在去除牺牲层时也只会将牺牲层去除，而不会影响到第一半导体材料层。因此保证了三维存储器结构的完整性、提高了三维存储器的稳定性，提高了三维存储器的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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