[发明专利]低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法在审
| 申请号： | 202011013559.X | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112176410A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 程波;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B15/00;C30B15/04 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 罗丹 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法。低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法，包括：获取高纯度的InSb锭条，并选取InSb锭条中导电类型为N型且载流子浓度低于掺杂后目标晶体要求浓度的部分作为原料；基于掺杂后目标晶体要求浓度，在一部分原料中掺入N型元素，以制备规格合金片；获取目标重量的原料，并根据公式1获取目标重量的规格合金片，MH＝CS×MS/CH×K；其中，MH表示规格合金片的重量，MS表示原料的重量，CH表示规格合金片的浓度，CS表示掺杂后目标晶体要求浓度，K表示修正系数；基于目标重量的原料和目标重量的规格合金片，制备目标晶体。采用本发明，可以去除原料本身存在的杂质，还可以保证掺入量的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 型锑化铟 insb 晶体 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
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