[发明专利]一种新型p型晶硅电池发射极接触钝化制备工艺在审
| 申请号： | 202011013644.6 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112071958A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 杨飞飞;张波;申开愉;张云鹏;李雪方;郭丽;吕爱武;杜泽霖;李陈阳 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池生产领域，一种新型p型晶硅电池发射极接触钝化制备工艺，按照清洗制绒、扩散制结、去PSG及背刻蚀、高温氧化、正面减反膜、背面钝化及减反膜、正面激光开槽、发射极重掺杂、去PSG、背面激光开槽、丝网印刷的工艺进行，其中，发射极重掺杂过程中，采用热扩散的方式，通入300sccm的N2、500‑1000sccm的N2‑POCl3、400‑900sccm的O2，安均匀的速率从780℃提升到820℃，时间为100‑200s，维持820℃，通入1‑3slm的N2，时间1‑2min。通过钝化发射极，减少金属化区域复合电流，提升电池转换效率0.3‑0.5%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 型晶硅 电池 发射极 接触 钝化 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
