[发明专利]一种单根硅纳米线荧光寿命温度计及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202011014024.4 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN114252166A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 师文生;王远;穆丽璇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | G01K11/20 | 分类号： | G01K11/20 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 赵晓丹 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种单根硅纳米线荧光寿命温度计及其制备方法和应用。本发明首先公开了单根硅纳米线荧光寿命温度计是以单根硅纳米线为基底，单根硅纳米线表面共价修饰有对温度敏感的荧光小分子。本发明进一步公开了上述单根硅纳米线荧光寿命温度计的制备方法及在单细胞温度检测中的应用。本发明单根硅纳米线荧光寿命温度计在进行单细胞温度检测时，能够有效的消除细胞外环境对于细胞温度造成的影响，同时利用荧光寿命作为检测指标，可消除荧光自身信号的干扰，能够准确的检测细胞的温度。另外，单根硅纳米线荧光寿命温度计制备方法简单，可进行批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单根硅 纳米 荧光 寿命 温度计 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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