[发明专利]一种减少光刻胶中毒的工艺方法在审
| 申请号： | 202011014995.9 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112201570A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 魏想 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种减少光刻胶中毒的工艺方法，提供半导体结构，在半导体结构上沉积掺氮碳化硅薄膜；对掺氮碳化硅薄膜进行硅烷等离子体处理；对掺氮碳化硅薄膜进行氧气等离子体处理。本发明的工艺方法在形成掺氮碳化硅薄膜后，增加硅烷等离子体后处理以防止氮活性组分扩散从而减少光刻胶中毒，使可游离活性氮组分与硅自由基结合生成硅氮键合的较为稳定的氮化硅成份分布于掺氮碳化硅薄膜内部与表面，可以有效地抑制掺氮碳化硅中活性氮组分的扩散，从而可减小光刻胶中毒现象；之后增加氧气等离子体后处理去除多余的硅自由基避免形成不规则成核的颗粒缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 光刻 中毒 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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