[发明专利]一种钛酸钡基超顺电膜及其中低温溅射制备方法与应用有效
| 申请号： | 202011015541.3 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112151357B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 欧阳俊;王坤;赵玉垚 | 申请（专利权）人： | 欧阳俊 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张晓鹏 |
| 地址： | 250353 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了钛酸钡基超顺电膜材料、中低温在硅基底上集成制备钛酸钡基超顺电膜的方法及其应用。其方法为：在室温(无加热)或150℃条件下，在镀完铂钛的基体表面由下向上依次磁控溅射缓冲层、钛酸钡基膜，在钛酸钡基膜表面磁控溅射顶电极，所述缓冲层的材质为能够与钛酸钡基晶格匹配的钙钛矿结构的导电氧化物镍酸镧，溅射方式为镍酸镧缓冲层和钛酸钡基膜的连续溅射方式。本发明能够降低制备钛酸钡基膜材料的温度至室温或150℃，且该钛酸钡基膜材料具有分散良好的纳米极性区域，高的储能密度和储能效率以及高储能特性不随厚度增加而变化。并且，通过降低超顺电膜层的厚度，增大电容密度，满足薄膜晶体管的发展要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钛酸钡 基超顺电膜 其中 低温 溅射 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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