[发明专利]碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法有效
| 申请号： | 202011015571.4 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112626618B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 镰田功穗;土田秀一;星乃纪博;德田雄一郎;冈本武志 | 申请（专利权）人： | 一般财团法人电力中央研究所;株式会社电装 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;梅黎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 晶片 单晶锭 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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