[发明专利]集成式组合件、存储器装置及形成集成式组合件的方法

摘要

本申请涉及集成式组合件、存储器装置及形成集成式组合件的方法。导电层级包含第一区，并且包含侧向邻近于所述第一区的第二区。所述第一区具有第一竖直厚度及沿着所述第一竖直厚度的至少两个不同含金属材料。所述第二区具有至少与所述第一竖直厚度一样大的第二竖直厚度，并且沿着所述第二竖直厚度只具有单个含金属材料。介电‑屏障材料侧向邻近于所述第一区。电荷阻挡材料侧向邻近于所述介电‑屏障材料。电荷存储材料侧向邻近于所述电荷阻挡材料。介电材料侧向邻近于所述电荷存储材料。沟道材料侧向邻近于所述介电材料。