[发明专利]一种场发射阴极超薄难熔金属栅网及其制备方法在审
| 申请号： | 202011015831.8 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112289665A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李兴辉;韩攀阳;杜婷;姜琪;杨金生;蔡军;冯进军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 邹欢 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场发射阴极超薄难熔金属栅网，其包括：栅网基片，在所述栅网基片中心区域包含栅极透孔阵列；栅网支撑环，位于所述栅网基片上，二者焊接一体；其中，所述栅网基片的材质为难熔金属。该栅网具有超薄的厚度，且能够适用于毫米波和太赫兹真空电子器件冷阴极，实现器件良好的综合性能。本发明还提供了该场发射阴极超薄难熔金属栅网的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 阴极 超薄 金属 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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