[发明专利]高电子迁移率晶体管（HEMT）器件和方法在审
| 申请号： | 202011015902.4 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112563327A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | D·G·帕蒂 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L27/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及高电子迁移率晶体管(HEMT)器件和方法。多个实施例涉及高电子迁移率晶体管(HEMT)器件和方法。一个这种HEMT器件包括具有第一表面的衬底、以及在衬底上并且彼此面对的第一异质结构和第二异质结构。第一异质结构和第二异质结构中的每个异质结构包括在衬底的第一表面上的第一半导体层、在衬底的第一表面上的第二半导体层以及在第一半导体层与第二半导体层之间的二维电极气体(2DEG)层。掺杂半导体层布置在第一异质结构与第二异质结构之间，并且源极接触布置在第一异质结构和第二异质结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 hemt 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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