[发明专利]一种通过利用ITO作为源漏极来改进闪存单元性能的方法有效
| 申请号： | 202011016660.0 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112164656B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 王萱;孙中琳;刘尚;刘大铕 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/443;H01L29/792;H01L29/45 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 赵玉凤 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明公开一种通过利用ITO作为源漏极来改进闪存单元性能的方法，本方法首先在重掺杂P型硅片衬底上生长一层热氧化SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 通过 利用 ito 作为 源漏极来 改进 闪存 单元 性能 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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