[发明专利]一种具有高晶粒生长速率的钒薄膜制备方法在审
| 申请号： | 202011016815.0 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112144031A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 章嵩;涂溶;张联盟 | 申请（专利权）人： | 气相科技（武汉）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明;官群 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区理*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种具有高晶粒生长速率的钒薄膜的制备方法，具体步骤如下：1)采用非平衡型磁控溅射设备进行沉积，在设备的两个相对放置的镜像靶座上分别安装一个钒靶材；2)将清洗干净的衬底放置于样品台中心，将沉积腔抽真空至2×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 晶粒 生长 速率 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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