[发明专利]双参考电压产生器、均衡电路及存储器有效
申请号: | 202011017186.3 | 申请日: | 2020-09-24 |
公开(公告)号: | CN114255801B | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 张志强 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C11/4074 | 分类号: | G11C11/4074;G11C5/14 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张娜;刘芳 |
地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本申请提供一种双参考电压产生器、均衡电路及存储器,该双参考电压产生器接收原始编码、第一编码以及第二编码,并根据接收到的原始编码和第一编码,产生第一参考电压,根据接收到的原始编码和第二编码,产生第二参考电压;其中,第一参考电压不同于第二参考电压。即本申请所提供的双参考电压产生器可以根据原始编码、第一编码以及第二编码输出两种不同的参考电压,能够更好的满足均衡处理过程对不同参考电压的需求,提升均衡电路的均衡处理效果;另外,通过对上述原始编码、第一编码以及第二编码的值进行预配置,可以使上述均衡电路的接收数据对应眼图中的电压裕度与时序裕度均处于最大值,还能够提高接收数据信号的质量。 | ||
搜索关键词: | 参考 电压 产生器 均衡 电路 存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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