[发明专利]带有IGBT单元和电流电压感测及控制单元的半导体器件有效
| 申请号： | 202011017881.X | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112002756B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;杨洋;林雨乐;赵一尚;李陆坪;莫家宁;何云娇;胡汶金;王彤阳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;G01R19/00;G01R31/26 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有IGBT单元和电流电压感测及控制单元的半导体器件，该半导体器件包括IGBT单元和电流电压感测及控制单元，两个单元共用部分器件结构，共用结构包括第一导电类型半导体集电极区、位于第一导电类型半导体集电极区上表面的第二导电类型半导体缓冲层、第二导电类型半导体缓冲层上表面的第二导电类型半导体漂移区；本发明在电流电压感测及控制单元中设置电流、电压采样感测区和采样控制区，其中电压采样与电流采样所使用的感测区与控制区相反，感测电极与采样电极在两种情况下也互为相反使用，对集电极电压和流经器件的电流实现可控的采样。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 igbt 单元 电流 电压 控制 半导体器件 | ||
【主权项】：
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