[发明专利]高压延伸漏极MOS（EDMOS）纳米线晶体管在审
| 申请号： | 202011017940.3 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112993026A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | N·尼迪;R·拉马斯瓦迈;W·M·哈费茨;H-Y·张;张婷;B·法拉哈扎德;T·特里韦迪;金晸東 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L21/335;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 付曼;姜冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请题为“高压延伸漏极MOS（EDMOS）纳米线晶体管”。本文中所公开的实施例包括半导体装置和形成这样的装置的方法。在实施例中，半导体装置包括衬底、衬底上方的源极区、衬底上方的漏极区以及从源极区延伸到漏极区的半导体本体。在实施例中，半导体本体具有：具有第一传导率类型的第一区；和具有第二传导率类型的第二区。在实施例中，半导体装置还包括半导体本体的第一区上方的栅极结构，其中，栅极结构更靠近源极区而不是漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 延伸 mos edmos 纳米 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011017940.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于占空比校正的技术
- 下一篇：受完整性保护的命令缓冲区执行
- 同类专利
- 专利分类
