[发明专利]肖特基二极管以及制备该肖特基二极管的方法在审
| 申请号： | 202011018691.X | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112201697A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江 | 申请（专利权）人： | 芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/329;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京知帆远景知识产权代理有限公司 11890 | 代理人： | 崔建锋 |
| 地址： | 241003 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管以及制备该肖特基二极管的方法，肖特基二极管包括：衬底；缓冲层；漂移区，漂移区位于缓冲层的一侧；第二外延层，第二外延层内具有沟槽；重掺杂区，重掺杂区位于沟槽的底部；结型场效应区，结型场效应区位于相邻的两个重掺杂区之间；第一金属层，第一金属层与重掺杂区处形成欧姆接触，与第二外延层形成肖特基接触；第一电极和第二电极。由此，通过第一金属层与第二外延层形成肖特基接触，与现有技术相比，能够使肖特基接触处具有更小的电场强度和更低的反偏泄漏电流，同时大的肖特基接触面积可以提升肖特基二极管的正向导通特性，通过第一金属层与重掺杂区处形成欧姆接触能够具有比较好的浪涌和雪崩能力。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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