[发明专利]一种半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 202011021798.X | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN111933581B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 卢俊玮;贾涛;范广超 | 申请（专利权）人： | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市栖霞区迈*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制备方法，至少包括以下步骤：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上依次形成阻挡层、介质层、金属硬掩模层、底部抗反射层及光刻胶；根据所述光刻胶上的图案刻蚀所述底部抗反射层；刻蚀所述金属掩模层，在所述金属硬掩模层上形成第一沟槽，同时在所述第一沟槽侧壁上形成保护膜；进行去胶灰化刻蚀，去除所述光刻胶和所述底部抗反射层；刻蚀所述介质层，在所述介质层中形成第一通孔、第二沟槽，所述第二沟槽对准于所述第一沟槽；刻蚀所述阻挡层，在所述阻挡层中形成第二通孔，所述第二通孔对准于所述第一通孔。本发明可在刻蚀过程中保护刻蚀侧壁不受损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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