[发明专利]生长氮化铝晶体的坩埚装置有效
| 申请号： | 202011021908.2 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112011825B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 于越;高冰;刘博涛;唐霞 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 罗敏清 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种生长氮化铝晶体的坩埚装置，包括保温层，其内具有空腔，所述保温层上设置有与所述空腔连通的开口；坩埚，其设置在所述空腔内，在所述坩埚的顶部盖合有坩埚盖，所述开口于所述坩埚盖对应设置；以及温度均匀装置，其包覆在所述坩埚盖的顶面，所述温度均匀装置也位于所述空腔中。本发明的温度均匀装置能够大幅度降低坩埚盖底部生长的晶体的径向温差，使得晶体内部的热应力减小，从而减少了晶体内部位错的发生，因此特别有利于大尺寸晶体的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 氮化 晶体 坩埚 装置 | ||
【主权项】：
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