[发明专利]一种三维SnS2有效

专利信息
申请号: 202011022905.0 申请日: 2020-09-25
公开(公告)号: CN112164787B 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 杨永凤 申请(专利权)人: 湖南博邦山河新材料有限公司
主分类号: H01M4/58 分类号: H01M4/58;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京高航知识产权代理有限公司 11530 代理人: 刘艳玲
地址: 410000 湖南省长沙市长沙经济技术开发区星沙*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及锂离子电池技术领域,且公开了一种三维SnS2修饰N掺杂介孔碳的锂离子电池负极材料,SnS2具有独特的三维六边形纳米片结构,增加SnS2结构的稳定性,增大比表面积,缩短锂离子扩散路径,有利于暴露更多的活性位点,以炭黑M1400、六亚甲基亚胺分别为硬模板、有机模板剂,经热活化得到介孔MCM‑22分子筛,再以乙基紫同时作为碳源和氮源,通过煅烧,得到三维SnS2修饰N掺杂介孔碳,其多孔结构提供丰富的锂离子扩散路径,掺杂的氮原子提供更多的活性位点,增强锂离子电池负极材料的性能,同时SnS2生长在N掺杂介孔碳的复合结构中,有效的缓解SnS2的体积膨胀,提高SnS2负极材料的导电性和倍率性能,具有良好的循环稳定性和优异的实际比容量。
搜索关键词: 一种 三维 sns base sub
【主权项】:
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