[发明专利]晶圆缺陷的验证方法在审
| 申请号： | 202011024000.7 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112330590A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G01N23/2251;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆缺陷的验证方法，包括：扫描装置扫描晶圆以获得晶圆图像，并且将晶圆上的疑似缺陷的位置传给图像处理装置，其中：晶圆图像包括多个晶粒图像；图像处理装置根据疑似缺陷的位置获取疑似缺陷所在的晶粒的图像作为第一晶粒图像，以及获取与第一晶粒图像相邻的第二晶粒图像和第三晶粒图像；获取第一晶粒图像的灰度值和第二晶粒图像的灰度值的差异作为第一差异，获取第二晶粒图像的灰度值和所述第三晶粒图像的灰度值的差异作为第二差异；获取第一差异和所述第二差异的差值，如果差值大于设定值，则认为所述疑似缺陷为晶圆缺陷。可以排除不同光刻条件造成的关键尺寸的差异对验证晶圆缺陷的影响，提高验证晶圆缺陷的准确率。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 验证 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011024000.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：加强型竹管平面桁架及竹管立体桁架
- 下一篇：一种烧结机台车本体磨损修复的方法
