[发明专利]一种晶体高饱和度连续快速生长的控制方法在审
申请号: | 202011026213.3 | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN111945225A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 潘丰 | 申请(专利权)人: | 江南大学 |
主分类号: | C30B29/22 | 分类号: | C30B29/22;C30B7/02;G02F1/355 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 刘秋彤;梅洪玉 |
地址: | 214122 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种晶体高饱和度连续快速生长的控制方法,属于生产过程控制领域。晶体高饱和度连续快速生长系统包括检测装置、执行装置、控制装置和晶体生长装置。载晶架旋转停止时通过晶体尺寸视觉测量装置在线检测生长晶体的尺寸,按规则调节培养罐内生长溶液温度设定值、溶液配制罐内生长溶液温度设定值、生长溶液输送泵的转速设定值。由于溶液配制罐温度大于培养罐生长温度,从而使溶液中溶解的溶质浓度高于生长温度下的平衡溶质浓度,保证进入培养罐的溶液处于过饱和状态。本发明方法提高了大尺寸晶体的生长速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 饱和度 连续 快速 生长 控制 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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