[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202011026228.X | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112582276A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 沈香谷;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 半导体结构包括设置在金属线上方的第一钝化层，设置在第一钝化层上方的含铜RDL，其中含铜RDL电耦接至金属线，并且含铜RDL的与第一钝化层的上表面接触的部分形成锐角，以及设置在含铜RDL上方的第二钝化层，其中位于第二钝化层和含铜RDL的顶面之间的界面是弯曲的。半导体结构可以进一步包括设置在第二钝化层上方的聚合物层，其中聚合物层的部分延伸以接触含铜RDL，电耦接至含铜RDL的凸块以及设置在凸块上方的焊料层。本申请的实施例还涉及制造半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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