[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011026353.0 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112563265A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 闵伟伦;吴旭升;刘昌淼 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开一种半导体装置及其制造方法。示例性的半导体装置包括：第一半导体鳍片及第二半导体鳍片形成于基板上方，其中第一半导体鳍片与第二半导体鳍片的下方部分被隔离结构分隔；第一栅极堆叠形成于第一半导体鳍片上方及第二栅极堆叠形成于第二半导体鳍片上方；以及分隔部件分隔第一栅极堆叠及第二栅极堆叠，其中分隔部件包括第一介电层及第二介电层，具有气隙界定于其间，且分隔部件的底部插入隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
