[发明专利]晶圆缺陷的监控方法有效
| 申请号： | 202011026627.6 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112117207B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 胡向华;陈肖;何广智;顾晓芳;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/95;G06F30/392 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆缺陷的监控方法，包括：在一设计版图的dummy区加入若干个重复的测试结构，以作为残留缺陷的监测点并排除干扰缺陷；对所述设计版图进行设计规则检测，筛选出与测试结构相同的设计结构；根据所述设计版图对一晶圆进行刻蚀，完成刻蚀后对所述晶圆进行缺陷扫描；根据缺陷扫描结果判断所述晶圆上刻蚀形成的测试结构和设计结构中是否存在残留缺陷。本发明提供的晶圆缺陷的监控方法在设计版图的dummy区设计重复的出现残留缺陷概率最高的测试结构，通过检测刻蚀后图形中的测试结构和与测试结构相同的设计结构中是否存在残留缺陷，减少了整片晶圆的背景噪声，提高了扫描精度，为产品的良率提供保障。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 监控 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011026627.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种饱满优质玉米粒风选装置
- 下一篇：采掘工作面运输平巷小型清煤机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
