[发明专利]一种低应力多晶硅半介质隔离槽的制备方法在审
| 申请号： | 202011026810.6 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112271160A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 王冰茹;张明浩;徐昊;陶利;张伟;高博 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L21/763 | 分类号： | H01L21/763;H01L21/762 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233030 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种低应力多晶硅半介质隔离槽的制备方法，包括以下步骤：取P型硅晶圆片作为基片，清洗基片，去除基片表面污垢；在基片顶面生长氧化层；在氧化层顶面生长氮化硅薄膜，氮化硅薄膜与氧化层共同作为介质层；通过光刻工艺在介质层制备隔离槽图形，腐蚀隔离槽图形区域的介质层；对隔离槽图形区域的基片进行刻蚀，形成隔离槽；在隔离槽的底面与侧壁生长二氧化硅氧化层；在隔离槽内进行多晶硅填充，并进行退火处理，去除多晶硅内部应力；通过CMP工艺，抛光去除氮化硅薄膜表面的多晶硅；采用湿法腐蚀去除介质层，得到所述低应力多晶硅半介质隔离槽；该方法突了SOI全介质隔离槽工艺复杂性，易实现隔离功能，且成本低，易于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 多晶 介质隔离 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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